Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
公開日 |
2016-09-08 |
タイトル |
|
|
タイトル |
Formation process of Al2O3 thin films by reactive sputtering |
|
言語 |
en |
言語 |
|
|
言語 |
eng |
キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
Reactive sputtering |
キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
Plasma emission intensity |
キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
Target voltage |
キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
Aluminum oxide |
キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
Gettering effect |
資源タイプ |
|
|
資源 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
タイプ |
journal article |
アクセス権 |
|
|
アクセス権 |
open access |
|
アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
著者 |
Chiba, Y
Abe, Y
Kawamura, M
Sasaki, K
|
著者別名 |
|
|
|
識別子Scheme |
WEKO |
|
|
識別子 |
44879 |
|
|
識別子Scheme |
KAKEN |
|
|
識別子URI |
https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020261399 |
|
|
識別子 |
20261399 |
|
|
姓名 |
阿部, 良夫 |
|
|
言語 |
ja |
著者別名 |
|
|
|
識別子Scheme |
WEKO |
|
|
識別子 |
44880 |
|
|
識別子Scheme |
KAKEN |
|
|
識別子URI |
https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070261401 |
|
|
識別子 |
70261401 |
|
|
姓名 |
川村, みどり |
|
|
言語 |
ja |
抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
Al and Al2O3 films were deposited by RF magnetron sputtering using a mixed gas of Ar and O2. The surface of the Al target was changed from the metallic mode to the oxide mode at a critical O2 flow ratio of 8%. The atomic ratio of sputtered Al atoms to supplied oxygen atoms was found to be approximately 2:3 at the critical O2 flow ratio. The oxide layer thickness formed on the Al target was estimated to be 5?7 nm at an O2 flow ratio of 100% by ellipsometry. |
書誌情報 |
Vacuum
巻 83,
号 3,
p. 483-485,
発行日 2008-10
|
DOI |
|
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2008.04.012 |
権利 |
|
|
権利情報 |
c 2008 Elsevier |
出版者 |
|
|
出版者 |
Elsevier |
著者版フラグ |
|
|
言語 |
en |
|
値 |
author |
出版タイプ |
|
|
出版タイプ |
AM |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |