WEKO3
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アイテム
Formation process of Al2O3 thin films by reactive sputtering
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/8467
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/846743beaa14-7e64-4046-ad90-cdf73f9d4ac8
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
No_4_Vacuum_83_483.pdf (816.8 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2016-09-08 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Formation process of Al2O3 thin films by reactive sputtering | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Reactive sputtering | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Plasma emission intensity | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Target voltage | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Aluminum oxide | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Gettering effect | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| タイプ | journal article | |||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||||
| 著者 |
Chiba, Y
× Chiba, Y
× Abe, Y
× Kawamura, M
× Sasaki, K
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| 著者別名 | ||||||||||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||||||||||
| 識別子 | 44879 | |||||||||||||
| 識別子Scheme | KAKEN | |||||||||||||
| 識別子URI | https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020261399 | |||||||||||||
| 識別子 | 20261399 | |||||||||||||
| 姓名 | 阿部, 良夫 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||||||||||
| 識別子 | 44880 | |||||||||||||
| 識別子Scheme | KAKEN | |||||||||||||
| 識別子URI | https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070261401 | |||||||||||||
| 識別子 | 70261401 | |||||||||||||
| 姓名 | 川村, みどり | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | Al and Al2O3 films were deposited by RF magnetron sputtering using a mixed gas of Ar and O2. The surface of the Al target was changed from the metallic mode to the oxide mode at a critical O2 flow ratio of 8%. The atomic ratio of sputtered Al atoms to supplied oxygen atoms was found to be approximately 2:3 at the critical O2 flow ratio. The oxide layer thickness formed on the Al target was estimated to be 5?7 nm at an O2 flow ratio of 100% by ellipsometry. | |||||||||||||
| 書誌情報 |
Vacuum 巻 83, 号 3, p. 483-485, 発行日 2008-10 |
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| DOI | ||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2008.04.012 | |||||||||||||
| 権利 | ||||||||||||||
| 権利情報 | c 2008 Elsevier | |||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 値 | author | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||
Share
Cite as
Chiba, Y, Abe, Y, Kawamura, M, Sasaki, K, 2008, Formation process of Al2O3 thin films by reactive sputtering: Elsevier, 483–485 p.
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