| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2016-09-08 |
| タイトル |
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タイトル |
Formation process of Al2O3 thin films by reactive sputtering |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Reactive sputtering |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Plasma emission intensity |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Target voltage |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Aluminum oxide |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Gettering effect |
| 資源タイプ |
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資源 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 著者 |
Chiba, Y
Abe, Y
Kawamura, M
Sasaki, K
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Al and Al2O3 films were deposited by RF magnetron sputtering using a mixed gas of Ar and O2. The surface of the Al target was changed from the metallic mode to the oxide mode at a critical O2 flow ratio of 8%. The atomic ratio of sputtered Al atoms to supplied oxygen atoms was found to be approximately 2:3 at the critical O2 flow ratio. The oxide layer thickness formed on the Al target was estimated to be 5?7 nm at an O2 flow ratio of 100% by ellipsometry. |
| 書誌情報 |
Vacuum
巻 83,
号 3,
p. 483-485,
発行日 2008-10
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| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2008.04.012 |
| 権利 |
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権利情報 |
c 2008 Elsevier |
| 出版者 |
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出版者 |
Elsevier |
| 著者版フラグ |
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言語 |
en |
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値 |
author |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
AM |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |
No_4_Vacuum_83_483.pdf (816.8 kB)
