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  1. 学術雑誌論文
  2. 洋雑誌

Time-dependent variation of the target mode in reactive sputtering of Al-O_2 system

https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/7615
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/7615
992fe7af-052d-4f94-8149-863f1c194079
名前 / ファイル ライセンス アクション
No277.pdf No277.pdf (267.0 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2014-02-25
タイトル
タイトル Time-dependent variation of the target mode in reactive sputtering of Al-O_2 system
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 gettering effect
キーワード
主題Scheme Other
主題 target voltage
キーワード
主題Scheme Other
主題 chamber pressure
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
著者 Abe, Yoshio

× Abe, Yoshio

en Abe, Yoshio

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Shinya, Koji

× Shinya, Koji

en Shinya, Koji

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Chiba, Youjiro

× Chiba, Youjiro

en Chiba, Youjiro

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Kawamura, Midori

× Kawamura, Midori

en Kawamura, Midori

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Sasaki, Katsutaka

× Sasaki, Katsutaka

en Sasaki, Katsutaka

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Reactive sputtering techniques have been widely used for forming compound thin films. In this study, the time-dependent variation of the target mode of an Al-O_2 system was investigated by measuring the target voltage for various reactive O_2 gas flow ratios and presputtering (i.e., sputtering in pure Ar gas to clean the target surface) times. The Al target remains in metallic mode for a certain period of time after being exposed to an Ar-O_2 plasma before it begins to be oxidized. This period increases with decreasing O_2 flow ratio and with increasing the presputtering time. It is considered that the period is caused by the gettering of O_2 gas by Al films deposited on the substrate and the chamber wall during presputtering.
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 target surface state
書誌情報 Vacuum

巻 84, 号 12, p. 1365-1367, 発行日 2010-06
出版者
出版者 Elsevier
言語 en
著者版フラグ
言語 en
値 author
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
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Ver.1 2021-03-01 07:00:17.416633
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