ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 学術雑誌論文
  2. 洋雑誌

Target-Surface Compound Layers Formed by Reactive Sputtering of Si Target in Ar+O2 and Ar+N2 Mixed Gases

https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/8472
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/8472
86f76898-cfa2-4fe7-b04c-e43c5fa7b9ae
名前 / ファイル ライセンス アクション
No_28_JJAP_46_6778.pdf No_28_JJAP_46_6778.pdf (250.5 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-09-08
タイトル
タイトル Target-Surface Compound Layers Formed by Reactive Sputtering of Si Target in Ar+O2 and Ar+N2 Mixed Gases
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 reactive sputtering
キーワード
主題Scheme Other
主題 Si model target
キーワード
主題Scheme Other
主題 plasma oxidation and nitridation
キーワード
主題Scheme Other
主題 ellipsometry
キーワード
主題Scheme Other
主題 target surface state
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
著者 Abe, Yoshio

× Abe, Yoshio

en Abe, Yoshio

Search repository
Takisawa, Takaya

× Takisawa, Takaya

en Takisawa, Takaya

Search repository
Kawamura, Midori

× Kawamura, Midori

en Kawamura, Midori

Search repository
Sasaki, Katsutaka

× Sasaki, Katsutaka

en Sasaki, Katsutaka

Search repository
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 44879
識別子Scheme KAKEN
識別子URI https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020261399
識別子 20261399
姓名 阿部, 良夫
言語 ja
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 44880
識別子Scheme KAKEN - 研究者検索
識別子URI https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070261401
識別子 70261401
姓名 川村, みどり
言語 ja
姓 川村
言語 ja
名 みどり
言語 ja
識別子Scheme ISNI
識別子URI https://www.isni.org/isni/
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Reactive sputtering is a very useful and widely used technique for preparing compound thin films, however, the target surface state is not fully understood. In this study, a Si wafer was used as a model sputtering target, and the thickness of the oxide and nitride layers formed on the target surface after sputtering in Ar+O2 and Ar+N2 mixed gases, respectively, was measured by ellipsometry. The maximum thicknesses of oxide and nitride layers were found to be approximately 7 nm in pure O2 gas and 4 nm in pure N2 gas, respectively. The oxidation rate of Si in oxygen plasma was thought to be higher than the nitridation rate of Si in nitrogen plasma.
書誌情報 Japanese Journal of Applied Physics

巻 46, 号 10A, p. 6778-6781, 発行日 2007
権利
権利情報 c 2007 The Japan Society of Applied Physics
出版者
出版者 The Japan Society of Applied Physics
著者版フラグ
言語 en
値 author
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2021-03-01 06:34:03.529364
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3