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アイテム
Simulation of Dislocation Accumulation in ULSI Cells of Reduced Gate Length
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/7524
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/7524c205d932-d7c8-4804-acf0-f0fc09825da9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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pricm7_m_sato.pdf (389.3 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-06-12 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Simulation of Dislocation Accumulation in ULSI Cells of Reduced Gate Length | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | ULSI | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Dislocation | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Crystal plasticity analysis | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Finite element method | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| タイプ | journal article | |||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||||
| 著者 |
Sato, Michihiro
× Sato, Michihiro
× Ohashi, Tetsuya× Aikawa, Keisuke
× Maruizumi, Takuya
× Kitagawa, Isao
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | We numerically evaluate the accumulation of dislocations in periodic structure of the shallow trench isolation (STI) type ULSI cells which has generally been adopted as the latest semiconductor device structure. STI type ULSI cells with gate length less than 62 nm and various trench depths are employed and subjected to a temperature drop from the initial value of 1000 ℃. Dislocation accumulation is evaluated by a technique of crystal plasticity analysis. Relations between the geometry of the STI type ULSI cells and dislocation accumulation are discussed. |
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| 内容記述 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | c (2010) Trans Tech Publications | |||||||||||||
| 書誌情報 |
Materials Science Forum 巻 654-656, 号 PRICM7, p. 1682-1685, 発行日 2010-06 |
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| DOI | ||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||
| 関連識別子 | http://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.654-656.1682 | |||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | Trans Tech Publications | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 値 | author | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||
