| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2007-05-10 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
Characterization of thermally stable Ir-Ta alloy thin films deposited by sputtering |
|
言語 |
en |
| 言語 |
|
|
言語 |
eng |
| 資源タイプ |
|
|
資源 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
|
|
アクセス権 |
open access |
|
アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 著者 |
Watanabe, E.
Abe, Y.
Sasaki, K.
Iura, S.
|
| 著者別名 |
|
|
|
識別子Scheme |
WEKO |
|
|
識別子 |
44879 |
|
|
識別子Scheme |
KAKEN |
|
|
識別子URI |
https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020261399 |
|
|
識別子 |
20261399 |
|
|
姓名 |
阿部, 良夫 |
|
|
言語 |
ja |
| 著者別名 |
|
|
|
識別子Scheme |
WEKO |
|
|
識別子 |
36471 |
|
|
姓名 |
佐々木, 克孝 |
|
|
言語 |
ja |
| 抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
Ir-Ta alloy thin films were deposited on Si0_2/Si substrates by a magnetron sputtering system using pure Ar as sputtering gas. The lr/Ta composition ratio of the alloy films was varied by changing the number of Ta chips on an lr target. The crystal structure of the alloy films changed from fcc-Ir to lr_3Ta, α-(Ir,Ta), Ta_3Ir, and bcc-Ta with increasing Ta content. Post-deposition annealing of the alloy films was carried out in oxygen at temperatures from 300℃ to 800℃ for 1 hour. The alloy films with Ta contents of 10-50 at.％ indicated low electrical resistivities below 220 μΩcm and the low resistivities were remained after annealing up to 600℃. |
| 書誌情報 |
Vacuum
巻 74,
号 3-4,
p. 735-739,
発行日 2004-06
|
| DOI |
|
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
http://doi.org/10.1016/j.vacuum.2004.01.058 |
| 権利 |
|
|
権利情報 |
http://www.sciencedirect.com/science/journal/0042207X |
| 権利 |
|
|
権利情報 |
Elsevier, E. Watanabe, Y. Abe, K. Sasaki, S. Iura, Vacuum, 74(3-4), 2004, 735-739. |
| フォーマット |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
application/pdf |
| 出版者 |
|
|
出版者 |
Elsevier |
|
言語 |
en |
| 著者版フラグ |
|
|
言語 |
en |
|
値 |
author |
| 出版タイプ |
|
|
出版タイプ |
AM |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |
4657.pdf (12.4 MB)
