| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2015-08-19 |
| タイトル |
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タイトル |
Influence of NiO anode buffer layer prepared by solution on performance of bulk-heterojunction solar cells |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Bulk-heterojunction solar cells |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
NiO |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Anode buffer layer |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Solution |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Amorphous |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Nanocrystalline |
| 資源タイプ |
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資源 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 著者 |
Kim, Kyung Ho
Takahashi, Chiaki
Okubo, Takashi
Abe, Yoshio
Kawamura, Midori
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
We investigate the properties of NiO thin films prepared by sol–gel solution and the photovoltaic performance of bulk-heterojunction (BHJ) solar cells based on NiO thin films as anode buffer layers with various film thickness and amorphous–crystalline phase. Optoelectronic properties and surface morphology of NiO films strongly depend on the thickness and phase of the NiO. The performance of solar cells based on nanocrystaline (nc-) NiO exhibits better photovoltaic characteristics in comparison to those employing an amorphous (a-) NiO. The obtained power conversion efficiency (PCE, η) of a solar cell with a 20-nm-thick nc-NiO is 2.24%, with a short-circuit density (JSC) of 7.77 mA/cm2, open-circuit voltage (VOC) of 0.57 V, and fill factor (FF) of 0.50. |
| 書誌情報 |
en : Applied Surface Science
巻 258,
号 20,
p. 7809-7812,
発行日 2012-08
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| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.04.017 |
| 出版者 |
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出版者 |
Elsevier |
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言語 |
en |
| 著者版フラグ |
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言語 |
en |
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値 |
author |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
AM |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |
No253.pdf (295.1 kB)
