WEKO3
アイテム
RF. スパッタ・エッチング法によるサーメット薄膜の抵抗トリミングについて
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/6463
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/6463daba819c-b547-4f2a-932c-fe6c24e53b00
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
10-1-13.pdf (3.1 MB)
|
|
| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2007-04-09 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | RF. スパッタ・エッチング法によるサーメット薄膜の抵抗トリミングについて | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | On the Trimming of Resistance for Cermet Thin Films by Radio Frequency Sputter-Etching Method | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
田沢, 達夫
× 田沢, 達夫× 梅沢, 利二 |
|||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 32692 | |||||
| 姓名 | Tatsuo, TAZAWA | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 32693 | |||||
| 姓名 | Toshiji, UMEZAWA | |||||
| 言語 | en | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Electrical properties of Ta-SiO_2 cermet thin films prepared by diode RF. Sputtering were investigated, and RF. sputter-etching for these films was carried out with Ar gas. It was seen that Ta-SiO_2 cermet thin films had positive temperature coefficient of resistance when these were sputtered from the targets which had Ta area ratios over 50％. The resistivities for these films were about 500-700μΩ-cm. For the cermet thin films in this system, it was found that it was possible to perform the trimming of resistance with higher accuracy than that by chemical etching if the sputter-etching was carried out with RF. power of 100 watts. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 北見工業大学研究報告 巻 10, 号 1, p. 123-130, 発行日 1978-11 |
|||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | publisher | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 北見工業大学 | |||||
| 言語 | ja | |||||
