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高周波四極スパッタリングによるTi-SiO_2系 : サーメット薄膜の電気的特性
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/6392
https://kitami-it.repo.nii.ac.jp/records/6392aac7e5da-cfa4-42ac-88f9-c367a67fddd9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
7-2-3.pdf (5.5 MB)
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| アイテムタイプ | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2007-04-09 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 高周波四極スパッタリングによるTi-SiO_2系 : サーメット薄膜の電気的特性 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Electrical Properties of Ti-SiO_2 Cermet Thin Films : Prepared by R. F. Plasma Sputtering | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
梅沢, 利二
× 梅沢, 利二× 井垣, 誠吾 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Ti-SiO_2 cermet thin films were deposited onto a glass substrate by R. F. sputtering from a Ti-SiO_2 composite target， on which the SiO_2 area ratio was varied to obtain different compositions. The cermet thin films sputtered from the target composed of 16％ SiO_2-84％ Tiarea ratios showed a resistivity of 220±10μΩ-cm and a temperature coefficient of nearly zero The thin films sputtered from the target given a greater SiO_2 area ratio than 16％ showed negative temperature coefficient of resistance (TCR), and those from the target given a smaller SiO_2 area ratio showed positive TCR values. The study on the electrical conduction in these cermet thin films suggested that the mechanism by a capillary model was dominant for the films with positive TCRs and the mechanism by a thermally agitated hopping process was predominant for the films with negative TCRs. | |||||
| 言語 | en | |||||
| bibliographic_information |
ja : 北見工業大学研究報告 巻 7, 号 2, p. 275-288, 発行日 1976-06 |
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| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| item_2_select_15 | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | publisher | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 北見工業大学 | |||||
| 言語 | ja | |||||
